日产一区日产2区,AV无码精品久久久久精品免费,孕妇被男狂揉吃奶胸高潮,张开双腿疯狂迎合强壮公

技術文章您的位置:網(wǎng)站首頁 >技術文章 >外延層的雜質(zhì)分布

外延層的雜質(zhì)分布

更新時間:2020-05-13   點擊次數(shù):2133次

外延層必須是經(jīng)過摻雜的單晶層。從器件制造的角度考慮,總希望外延層具有均勻的一定量的單一雜質(zhì)分布,而且要求外延層與襯底界面處雜質(zhì)分布濃度陡峭一些。

SiCl4氫還原法外延由于在高達1200℃高溫下進行,襯底與外延層中雜質(zhì)相互擴散,從而使襯底與外延層形成雜質(zhì)濃度緩變分布,這就是外延中的擴散效應。這種效應是可逆的,生成的HCl對硅有腐蝕作用。在襯底腐蝕的同時其中雜質(zhì)就釋放出來,加之在高溫外延過程中,高摻雜襯底中的雜質(zhì)也會揮發(fā),此外整個外延層系統(tǒng)中也存在雜質(zhì)的沾污源,這三種因素造成的自摻雜效應嚴重影響了外延的雜質(zhì)分布,外延電阻率做高也不容易。

SiH4熱分解法反應溫度低,其化學反應激活能是1.6eV,比SiCl4小0.3eV,可以在1100℃時獲得與1200℃下SiCl4反應時相當?shù)纳L速率,同時這種方法不產(chǎn)生HCl,無反應腐蝕問題,因而擴散效應和自摻雜現(xiàn)象不如SiCl4嚴重。如果采用“背封”技術和“二步法”外延,用SiH4熱分解法就能獲得較為理想的突變結(jié)和濃度分布。

国产又爽又粗又猛的视频| 亚洲国产精品久久久久秋霞影院| 国内精品久久久久伊人AV| 国产99久一区二区三区A片| 色欲AV精品无码久久久久久国产| 国产粉嫩高中无套进入| 天堂在/线资源中文在线| 无码国产一区二区三区四区| 乳尖乱颤娇喘连连A片在线观看| 人妻无码一区二区三区| 无码无遮大尺度床戏视频网站| 大陆三级经典三级在线| 成人黄网站片免费视频| 波多也结衣无码精品AV在线观看 | 狠狠久久精品中文字幕无码| 热の无码热の有码热の综合| 人妻另类 专区 欧美 制服| 风韵少妇性饥渴推油按摩视频| 棚户区小伙嫖老妓女| 久久久99精品免费观看| 狠狠CAO2020高清视频| 新婚人妻扶着粗大强行坐下| 国产欧美精品一区二区三区四区| 亚洲欧美V国产一区二区| 香港三级日本三级妇三级| 一进一出一爽又粗又大| 日本工口里番无遮█彩色GIF| 成人电影免费在线观看| 黑龙江45老女人高潮喷水| 国产男男激情VIDEOSGAY| 岳故意装睡让我挺进去观看 | 精品亚洲AV无码一区二区| 50岁老熟女高潮喷了| 餐桌下狂C亲女水欧阳凝| 成人区色情综合小说| 亚洲国产精品无码AAA片| 国产精品久久精品第一页不卡| 小俊┅┅快┅┅用力啊| 国产A级毛片久久久久久精品| 少妇无码太爽了不卡在线观看| 年轻漂亮岳每4观看|